0

Безплатна доставка в цялата страна за всички онлайн поръчки над 80.00 лв.(без ДДС)

Код:
Наименование:
{$prname1}



Полетата означени с * са задължителни!
Краен час на поръчка Краен час на доставка
09:30 11:30
10:30 12:30
13:30 15:30
14:30 16:30

VISHAY - SISS02DN-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 25 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

  • MOSFET, N-CH, 25V, 80A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id 80A; Drain Source Voltage Vds 25V; On Resistance Rds(on) 0.001ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs 10V; Threshold Voltage Vgs 2.2V; Power Dissipation Pd 65.7W; Tran
Код за поръчка: 2857075
Продукт: VISHAY - SISS02DN-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 25 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Наименование производител: SISS02DN-T1-GE3
Производител: VISHAY
Категория: Transistors (19754)
Подкатегория: MOSFET's (11872)
Подкатегория: MOSFET's - Single (10556)
RoHS: Y10
Количество в опаковка: 1
Изображението е само с илюстративна цел!
Спецификация
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
0.001ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs
10V
Threshold Voltage Vgs
2.2V
Power Dissipation Pd
65.7W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150
Единична цена без ДДС
бр. EUR
1 1.45950
10 0.99540
100 0.84210
500 0.70980
1000 0.64365
5000 0.61950
Показвай цените в
ВДст
BGN
EUR
USD
Техническа информация
Информирай за грешка
Благодарим Ви, че ни помагате да подобрим сайта.
Моля, опишете възможно най-детайлно грешката, която срещнахте.
Грешка относно: VISHAY - SISS02DN-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 25 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

* Тип неточност:

Допълнителна информация:

Ако желаете да се свържем с Вас във връзка с тази грешка, моля по-долу да посочите Email.

 

Наличност

0

Очаква доставка

Scroll to top