Уважаеми клиенти,
Комет Електроникс Ви уведомява, че офисът и магазините на фирмата няма да работят от 10-ти до 13-ти април 2026 г. вкл.
Желаем Ви весели и светли празници!

Безплатна доставка в цялата страна за всички онлайн поръчки над 40.00 € / 78.23 лв. (без ДДС).

Back to Top

1300898

Продукт: 1300898
Наименование производител: IPD60R1K0CEAUMA1
Производител: Infineon (10805)
Категория: Discrete Semiconductors (38617)
Подкатегория: MOSFETs (12704)
Описание: Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R1K0CEAUMA1
Код за поръчка: 10040876
Изображението е само с илюстративна цел!
Спецификация
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Mounting Type
Surface Mount
Series
CoolMOS™ CE
Transistor Configuration
Single
Maximum Power Dissipation
61 W
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Height
2.41mm
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
6.22mm
Единична цена без ДДС
бр. EUR
25 0.44300
Мин.к-во: 25
Показвай цените в
Информирай за грешка
Благодарим Ви, че ни помагате да подобрим сайта.
Моля, опишете възможно най-детайлно грешката, която срещнахте.
Грешка относно: 1300898

* Тип неточност:

Допълнителна информация:

Ако желаете да се свържем с Вас във връзка с тази грешка, моля по-долу да посочите Email.

 

Наличност
Comet Bulgaria
0
Допълнителни количества
Очаквана дата на доставка Поръчано количество
7 - 10 дни
* при поръчка
2075
* налични при дистрибутора
Запитване

Scroll to top